学术报告——氧化铪(HfO2)高K薄膜的制备及ALD生长行为分析

作 者:发布时间:2023-11-24浏览次数:97


报 告 人:杨志,副教授,硕士生导师

报告时间:20231129日 下午14:00 -15:30

报告地点:宜宾校区 Y1-311多媒体教室

主办单位:材料科学与工程学院

报告人简介:

杨志,博士,副教授,硕士生导师,201712月毕业于西安交通大学,同年加入澳门十大正规游戏网站,2019年入选西华大学青年后备人才支持计划,现任中国腐蚀与防护学会第十届缓蚀剂与水处理专业委员会委员,四川省人社厅专家服务团专家。近年来,参与或主持各类科研项目10余项,在国内外学术期刊发表SCI论文20余篇,申请国家专利5项。研究方向包括:材料物性的理论计算、新能源材料、先进薄膜材料及性能表征等。

内容简介:原子层沉积(ALD)是一种适合于研制最新的和前沿性的产品的薄膜制备技术,也是一种用于纳米技术研究的有效方法,可在各种尺寸和形状的基底上沉积高精度、无针孔、高保形的纳米薄膜。报告介绍了原子层沉积的基本原理,氧化铪生长过程中的表面吸附与生长模式演变,氧化铪薄膜表面动态演化及薄膜生长行为演变等。

欢迎纳米技术专业及相关领域老师、同学参加!



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